Kategoriler
Alışveriş Sepetiniz

IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268 - IXBT10N170

IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268 - IXBT10N170
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO268 - IXBT10N170
$18,80
Vergiler Hariç: $15,67
  • Stok Durumu: Stokta Var
  • Ürün Kodu: IXBT10N170
  • SKU: IXBT10N170

Ürünün Özellikleri:

ÖzellikDeğer
Mounting TypeSMT
VCE Sat3.4V
DiodeWith Diode
Junction Temperature (Tj)150°C
Operating Temperature-55°C ~ +150°C
RohsNON ROHS
Current (Ic)10A
Current Temperature (IC)90°C
Voltage1.7kV
Package / CaseTO268 (D3PAK)
TechnologyBiMOSFET
Power Dissipation130W
PackagingTUBE
ManufacturerIXYS
Current (Ic) (25°C)20A
ConfigurationSingle
Additional DocumentationN/A

Yorum Yap

Not: HTML'e dönüştürülmez!
Kötü İyi
Whatsapp Whatsapp
Ürün Asistanı ile Sohbet Et
Whatsapp Whatsapp