MOSFET DIS 20V 13.5A P-CH 8-SOIC - FDS4465

FDS4465 MOSFET Teknik Özellikleri

Tip: P-Kanal Güç MOSFET

Üretici: ON Semiconductor (Diğer üreticiler de mevcut olabilir)

Drain-Source Voltajı (Vds): -20V (Maksimum)

Sürekli Drain Akımı (Id): -13.5A (Maksimum)

Gate-Source Voltajı (Vgs): -20V (Maksimum)

Açık Direnç (Rds(on)):

• 0.0085 ohm tipik (Vgs = -4.5V'de)
• 0.011 ohm maksimum (Vgs = -4.5V'de)

Güç Dağılımı:

• 2.5W Ta = 25°C'de
• 1.6W Ta = 70°C'de

Çalışma ve Depolama Sıcaklık Aralığı: -55°C ila +150°C

Paket: 8-SOIC (Küçük Anahatlı Entegre Devre)